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Typical Electrical Characteristics
1.1
20
1.08
I D = -250μA
10
5
V GS = 0V
1.06
1.04
1
T J = 125°C
25°C
-55°C
1.02
0.1
1
0.98
0.01
0.96
0.94
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0.001
0
0.4 0.8 1.2 1.6
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
2
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
2000
10
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature .
1000
C iss
8
6
I D = -4.0A
V DS = -5V
-20V
-10V
500
300
C oss
4
200
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
2
100
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
0
0
5
10
15
20
25
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Capacitance Characteristics.
12
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
9
6
3
V DS = -10V
T J = -55°C
25°C
125°C
0
0
-4
-8
-12
-16
-20
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 11. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
NDS8947.SAM
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